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申请/专利权人：株式会社村田制作所
申请日：2022-11-08
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118216084A
主分类号：H03F1/26
分类号：H03F1/26;H03F1/22;H03F3/193
优先权：["20211110 US 17/523,584"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：提供了用于实现与不同频带相关联的RF处理路径的方法和装置。根据一个方面，RF处理路径由混合输入LNARF前端提供，该混合输入LNARF前端包括专用于特定频带的RF处理路径和在若干频带之间共享的RF处理路径。RF处理路径的共享由输入组合器网络和或多输入共源共栅放大器提供，所述多输入共源共栅放大器包括耦接至至少两个输入晶体管的共源共栅晶体管。进一步提出了工具包，该工具包包括可以在特定组合中使用的电路块，以自定义RF处理路径，从而实现特定的性能或成本优化。基于分配给频带中的每一个的性能和成本优先级的决策树用于提供特定组合。
主权项：1.一种多输入多频带低噪声放大器LNA，包括：专用RF处理路径，所述专用RF处理路径用于处理第一频带的输入RF信号，所述专用RF处理路径包括：专用共源共栅放大器，所述专用共源共栅放大器包括专用输入晶体管和耦接至高侧节点的专用输出共源共栅晶体管；以及共享RF处理路径，所述共享RF处理路径用于处理相应的第二频带和第三频带的至少两个输入RF信号，所述共享RF处理路径包括：输入频带选择开关；以及多输入共享共源共栅放大器，所述多输入共享共源共栅放大器包括多个输入晶体管和耦接至所述多个输入晶体管的共享输出共源共栅晶体管，其中：所述共享输出共源共栅晶体管耦接至所述高侧节点，并且所述输入频带选择开关被配置成将所述至少两个输入RF信号中的每一个选择性地耦接至所述多个输入晶体管中的共享输入晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社村田制作所 混合输入LNA RF前端架构
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