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【发明公布】一种用于多种芯片测试的RF射频夹具的自动去嵌入方法_中北大学_202410328005.0 

申请/专利权人:中北大学

申请日:2024-03-21

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN118209842A

主分类号:G01R31/28

分类号:G01R31/28;G01R1/04

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.18#公开

摘要:本发明属于RF射频夹具技术领域,具体涉及一种用于多种芯片测试的RF射频夹具的自动去嵌入方法,采用AFR算法与TDR结合的时域频域混合的去嵌入方法,AFR对比其他传统去嵌入方法而言,在保证测量准确度的前提下,减少了测量次数,提高了射频芯片参数的测量效率,降低了射频芯片测试成本。RF射频夹具是放置在PCB板上用来固定并测试芯片和各种元器件的夹具;该夹具用于测试可通过频率高达44GHz的射频芯片ADRF5024的性能,例如插入损耗、回波损耗和驻波比等参数。夹具测试避免其Pad损坏,提高了测试芯片的重复利用性,使得芯片便于快速取放。

主权项:1.一种用于多种芯片测试的RF射频夹具的自动去嵌入方法,其特征在于,包括下列步骤:S1、准备对称夹具和两倍直通Thru标准件,将ADRF5024芯片放置于芯片限位槽中,旋转夹具最上面的盖子,使芯片紧贴PCB板上;S2、通过电缆将夹具与多端口矢量网络分析仪连接在一起,测量出未校准前的夹具与ADRF5024芯片原始S参数;S3、采用SOLT校准件完成多端口矢量网络分析仪的校准,将测试端面从矢量网络分析仪延伸到测试电缆的同轴接头位置,获得SOLT校准后的夹具与ADRF5024芯片的S参数矩阵SAct;S4、将2X-AFR校准件连接到电缆的同轴端口,利用TDR通过信号遇到阻抗不连续时会反射能量的特性,确定微带转同轴接口位置,进而将测试端面从测试电缆的同轴接头位置延伸到ADRF5024芯片的端口,去除S3中夹具的影响,获得夹具的S参数矩阵SThru;S5、通过S4中2X-AFR校准件的S参数对应的S11_Thru、S22_Thru、S12_Thru、S21_Thru得到S11B、S22A、S12A;S6、通过TDR的回波损耗提取较便捷的获得S11A和S22B,判断夹具微带转同轴接口位置,获得S11A和S22B的时域波形;S7、将S6中获得的S11A和S22B代入S5,解决表征夹具的问题;在已知夹具S参数的情况下,将夹具的影响从原始S参数中移除;去嵌入的过程采用将S参数转化为具有级联性质的T参数,求出S参数、T参数相互转化的关系;S8、求出夹具和ADRF5024芯片构成的复合结构,由此求得待测件ADRF5024芯片的S参数。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中北大学 一种用于多种芯片测试的RF射频夹具的自动去嵌入方法

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