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【发明公布】低噪声放大器(LNA)输入阻抗调整电路_高通股份有限公司_202280070283.X 

申请/专利权人:高通股份有限公司

申请日:2022-10-24

公开(公告)日:2024-06-04

公开(公告)号:CN118140409A

主分类号:H03F1/22

分类号:H03F1/22;H03F1/34;H03F3/195

优先权:["20211027 US 63/263,124","20221021 US 17/971,490"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开

摘要:本公开的各方面提供了一种被配置为调整诸如低噪声放大器130之类的放大器的输入阻抗的电路810。在某些方面,该电路810耦合到节点X,其中该节点X在该放大器130的第一晶体管410与第二晶体管420之间。该电路可包括串联耦合的电感器Lf和电容器Cf,其中该电感器Lf通过负磁耦合M与该放大器130的一个或多个负载电感器Ld耦合。

主权项:1.一种装置,包括:放大器,所述放大器包括:第一晶体管,所述第一晶体管具有栅极、源极和漏极,其中所述第一晶体管的所述栅极耦合到所述放大器的输入端,并且所述第一晶体管的所述源极耦合到地;第二晶体管,所述第二晶体管具有栅极、源极和漏极,其中所述第二晶体管的所述栅极被配置为接收偏置电压,并且所述第二晶体管的所述源极耦合到所述第一晶体管的所述漏极;第一电感器,所述第一电感器耦合在所述第二晶体管的所述漏极和供电轨之间;和电路,所述电路耦合到节点,其中所述节点在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间,并且所述电路包括:第二电感器,其中所述第二电感器通过负磁耦合与所述第一电感器耦合;和电容器,所述电容器与所述第二电感器串联耦合。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 高通股份有限公司 低噪声放大器(LNA)输入阻抗调整电路

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