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射频芯片封装结构 

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申请/专利权人:升新科技(南京)有限公司

摘要:本发明公开了一种射频芯片封装结构,封装结构包括:基板、源端射频芯片和功率放大芯片;基板的第一表面贴附功率放大芯片的区域设置有第一通孔,第一通孔内填充有第一金属体,功率放大芯片通过导热胶体与第一金属体接触连接;基板的第一表面贴附源端射频芯片的区域设置有第二通孔,第二通孔内填充有第二金属体,第二金属体的表面下沉于基板的第一表面,以与基板形成凹陷结构,源端射频芯片容置于凹陷结构内,并通过导热胶体与第二金属体接触连接;所述第一金属体被构造为第一散热焊盘,所述第二金属体被构造为第二散热焊盘。本发明所提供的技术方案能够最大化提升无线射频芯片的性能。

主权项:1.一种射频芯片封装结构,其特征在于,包括:基板、源端射频芯片和功率放大芯片,其中,所述源端射频芯片的厚度大于所述功率放大芯片的厚度;所述基板具有相对的第一表面和第二表面;所述基板的第一表面贴附所述功率放大芯片的区域设置有第一通孔,所述第一通孔内填充有第一金属体,所述功率放大芯片通过导热胶体与所述第一金属体接触连接;所述基板的第一表面贴附所述源端射频芯片的区域设置有第二通孔,所述第二通孔内填充有第二金属体,所述第二金属体的表面下沉于所述基板的第一表面,以与所述基板形成凹陷结构,所述源端射频芯片容置于所述凹陷结构内,并通过导热胶体与所述第二金属体接触连接;所述第一金属体被构造为第一散热焊盘,所述第二金属体被构造为第二散热焊盘,所述基板的所述第二表面设置有多个电连接焊盘;在所述基板的厚度方向上,所述多个电连接焊盘、所述第一散热焊盘和所述第二散热焊盘三者的投影不交叠。

全文数据:

权利要求:

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