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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
申请日：2019-05-29
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN110556708B
主分类号：H01S5/183
分类号：H01S5/183
优先权：["20180531 JP 2018-104876"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2019.12.10#公开
摘要：一种垂直腔面发射激光器，包括：具有主表面的衬底以及在主表面上安装的柱结构。该柱结构包括有源层和载流子限制结构。载流子限制结构包括第一区域以及具有比第一区域更低的电阻率的第二区域。第一区域具有边缘以及第一至第三参考线段。第一参考线段的第一长度是连接边缘上的任何两个点并在沿着III‑V族半导体的[1‑10]方向上延伸的线段的长度当中最长的。第一长度大于第二参考线段的第二长度与第三参考线段的第三长度之和。第三长度小于第二长度并且是零或更大。
主权项：1.一种垂直腔面发射激光器，包括：衬底，所述衬底具有包括III-V族化合物半导体的主表面；以及柱结构，所述柱结构包括在沿着与所述衬底的所述主表面相交叉的第一轴的方向上布置的有源层和载流子限制结构，其中所述柱结构被安装在所述衬底上，所述载流子限制结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域具有比所述第二区域低的电阻率，所述第一区域和所述第二区域布置在与沿着所述第一轴的方向相交叉的第一参考平面中，所述第一区域具有边缘、第一长度、第二长度、以及第三长度，所述边缘具有第一部分和第二部分，所述第一长度是第一参考线段的长度，所述第一参考线段连接所述边缘上的第一点和第二点，所述第一参考线段是连接所述边缘上的任何两个点且在所述III-V族化合物半导体的[1-10]方向上延伸的线段的第一集合中的最长一个，所述第二长度是第二参考线段的长度，所述第二参考线段连接所述边缘的所述第一部分上的点与所述第一参考线段上的点，所述第二参考线段与所述第一参考线段成直角，所述第三长度是第三参考线段的长度，所述第三参考线段连接所述边缘的所述第二部分上的点与所述第一参考线段上的点，所述第三参考线段与所述第一参考线段成直角，所述第一长度大于所述第二长度与第三长度之和，以及所述第三长度小于所述第二长度并且是零或更大，其中，所述边缘具有相对于单个轴的线对称，并且所述线对称与所述柱结构的边缘的单轴对称形状相关联。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电气工业株式会社 垂直腔面发射激光器
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