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【发明授权】磷酸根阴离子-季铵离子对配位的聚合物膜_伦斯勒理工学院_201980077678.0 

申请/专利权人:伦斯勒理工学院

申请日:2019-11-26

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN113366680B

主分类号:H01M8/1023

分类号:H01M8/1023;H01M8/1039;C08J5/22

优先权:["20181126 US 62/771,372","20191125 US 62/940,084"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.07#授权;2021.09.28#实质审查的生效;2021.09.07#公开

摘要:本公开的离子交换膜材料在低和中等相对湿度下表现出改善的电导率而不牺牲机械强度。提供了聚合物,其包括具有一个或多个芳基的主链、卤代烃基和连接至所述主链的卤代烃基侧链,其中所述卤代烃基侧链包括通过烃基链、烃基环或它们的组合与所述主链隔开的卤素。用叔胺取代卤素,然后用氢氧根阴离子交换卤素阴离子。然后使所述聚合物与磷酸接触,所述磷酸被氢氧根离子去质子化而形成阴离子,其提高了与相邻季铵基团的相互作用并诱导过量的磷酸分子聚集在这些季铵基团周围。所述膜即使在高相对湿度下也表现出可忽略不计的掺杂剂浸出。

主权项:1.包含聚合物的离子交换膜材料,该聚合物包含式I的重复单元: 其中Ar包括一个或多个芳基,R1是饱和或不饱和的烃基,A是季铵基团,D是离子掺杂剂,和R2是卤代烃基,并且其中所述离子掺杂剂包括磷酸二氢根阴离子和磷酸分子,并且所述磷酸分子形成围绕所述季铵基团的簇。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 伦斯勒理工学院 磷酸根阴离子-季铵离子对配位的聚合物膜

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