申请/专利权人：东莞市东颂电子有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN221090563U

主分类号：B60L53/60

分类号：B60L53/60;B60L53/62;B60L53/30;H02J7/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权

摘要：本实用新型公开了一种带高PF值低谐波电动车电源充电器，其内部电路包括市电输入及抗雷击电路、EMI滤波电磁抗干扰电路、整流滤波电路、吸收回路及高频变压器电路、MOSFET管驱动电路、高PF值PWM控制IC电路、肖特基整流电路、输出防倒灌可控硅检测电路、输出电池拔插检测电路、输出电池接口电路、电流采样放大反馈电路、MCU协议控制电路、电压与电流反馈控制电路、2.5V基准电路和后级环温检测与功率器件NTC过温保护控件电路。本实用新型的电源充电器，采用高PF值PWM控制IC电路，使充电器功率因素大于0.90，同时MCU协议控制电路等其它电路的结构设计，使得电源充电器的输出性能更稳定、更安全。

主权项：1.一种带高PF值低谐波电动车电源充电器，其特征在于：其内部电路包括市电输入及抗雷击电路、EMI滤波电磁抗干扰电路、整流滤波电路、吸收回路及高频变压器电路、MOSFET管驱动电路、高PF值PWM控制IC电路、肖特基整流电路、输出防倒灌可控硅检测电路、输出电池拔插检测电路、输出电池接口电路、电流采样放大反馈电路、MCU协议控制电路、电压与电流反馈控制电路、2.5V基准电路和后级环温检测与功率器件NTC过温保护控件电路；所述市电输入及抗雷击电路通过EMI滤波电磁抗干扰电路连接至整流滤波电路的整流桥BD1的输入端，整流滤波电路的输出端正极连接至所述吸收回路及高频变压器电路的变压器T1的原边第一绕组的正极端，变压器T1的原边第一绕组的负极端连接至含有MOS管Q1的MOSFET管驱动电路，变压器T1的原边第一绕组的负极端与MOS管Q1的漏极连接，MOS管Q1的源极通过电阻R24、R25、R26、R27和R28五个电阻组成的并联电路连接PGND；所述吸收回路及高频变压器电路的原边第一绕组的两端连接有RCD高压吸收电路；所述MOS管Q1的栅极连接至包含有芯片U1的高PF值PWM控制IC电路，所述芯片U1的型号为LD7838；所述变压器T1的原边第二绕组一端连接PGND，另一端通过二极管D5、电阻R29组成的串联电路连接至芯片U1的VCC脚，所述MOS管Q1的栅极通过电阻R11、R9连接至芯片U1的OUT脚；芯片U1的HV脚通过电阻R7、R8连接至所述整流滤波电路3的输出端正极，CS脚通过电阻R10连接至MOS管Q1的源极；所述变压器T1的副边第一绕组两端连接至所述肖特基整流电路，所述肖特基整流电路的正极连接至所述输出电池接口电路的正极输出端，肖特基整流电路的负极通过所述输出防倒灌可控硅检测电路连接至所述输出电池接口电路的负极输出端；所述输出电池接口电路的正极和负极输出端之间连接有所述输出电池拔插检测电路，所述输出电池拔插检测电路包含MOS管Q4，MOS管Q4的漏极引出电池拔插检测信号VBAT-Sense；所述输出防倒灌可控硅检测电路包括晶闸管Q5，晶闸管Q5的控制极连接至所述MCU协议控制电路的芯片U2的一个引脚，所述芯片U2的型号为CMS8S6990N-TSSOP20；所述变压器T1的副边第二绕组引出供电电路输出风扇的工作电压，以及5V稳压电源；5V稳压电源通过2.5V基准电路形成2.5V电压输出；从所述输出防倒灌可控硅检测电路和2.5V基准电路引出的电流采样放大反馈电路，将得到的IS2、OP0O、OP0P、OP0N信号输入到所述MCU协议控制电路的芯片U2；从所述输出电池拔插检测电路和2.5V基准电路引出的电压与电流反馈控制电路，得到的OP1O、OP0P、OP0N、CPWM信号输入到所述MCU协议控制电路的芯片U2；电池拔插检测信号VBAT-Sense也连接到芯片U2；所述电压与电流反馈控制电路的电压反馈电路与光耦合器PC1的输入部分PC1A连接，光耦合器PC1的输出部分PC1B连接至芯片U1的反馈输入端；所述变压器T1的副边第二绕组引出的5V稳压电源连接至后级环温检测与功率器件NTC过温保护控件电路，所述后级环温检测与功率器件NTC过温保护控件电路包括热敏电阻NTC2和NTC3，NTC2对环境温度进行检测和过温保护，NTC3对功率器件进行温度检测和过温保护。

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