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申请/专利权人：广电计量检测(深圳)有限公司;广电计量检测集团股份有限公司;广电计量检测(无锡)有限公司
申请日：2023-08-28
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN221102097U
主分类号：H01L29/861
分类号：H01L29/861;H01L29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权
摘要：本实用新型涉及电路保护器件技术领域，更具体地，涉及一种瞬态二极管。其包括衬底、P型区，N型高浓度掺杂区、第一电极、与P型区连接的P型高浓度掺杂区和第二电极；P型区包括均设置在衬底一侧的第一P型区和第二P型区，第二P型区的一侧设有多条硅纳米线，硅纳米线向第二P型区与P型高浓度掺杂区的连线方向延伸并且嵌于P型高浓度掺杂区内。本实用新型克服了现有技术中P型材料片与P型高浓度掺杂区接触会形成抑制电场抑制载流子传输从而导致二极管的漏电流增大的不足，该瞬态二极管设置多条硅纳米线，可提高载流子的传输效率，降低载流子复合的风险，减小瞬态二极管的漏电流。
主权项：1.一种瞬态二极管，包括衬底1、设置在所述衬底1一侧的P型区，与所述P型区连接的N型高浓度掺杂区4、与所述N型高浓度掺杂区4连接的第一电极2、与所述P型区连接的P型高浓度掺杂区7、与所述P型高浓度掺杂区7连接的第二电极3；其特征在于，所述P型区包括均设置在所述衬底1一侧且相互连接的第一P型区5和第二P型区6，所述N型高浓度掺杂区4与所述第一P型区5连接；所述P型高浓度掺杂区7与所述第二P型区6连接，所述第二P型区6靠近所述P型高浓度掺杂区7的一侧设有多条硅纳米线8，所述硅纳米线8向所述第二P型区6与所述P型高浓度掺杂区7的连线方向延伸并且嵌于所述P型高浓度掺杂区7内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广电计量检测(深圳)有限公司;广电计量检测集团股份有限公司;广电计量检测(无锡)有限公司 一种瞬态二极管
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