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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日：2024-01-25
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118192064A
主分类号：G02B26/00
分类号：G02B26/00;B81B7/02;B81C1/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明属于光谱成像探测领域，具体涉及一种集成MEMS型F‑P滤光器及其制作方法；集成MEMS型F‑P滤光器包括光电探测器，所述光电探测器内部设有光敏区；遮光层，其位于光电探测器的上表面；且遮光层中心部位内设有下布拉格层，下布拉格层位于光敏区正上方；支撑块，其位于遮光层的上表面；电极层，其位于支撑块的上表面；且电极层中设有上布拉格层；下布拉格层、上布拉格层，以及下布拉格层与上布拉格层间的空气层共同组成法布里‑珀罗腔；本发明所有工艺均在采用半导体工艺生产线上进行，且与光电探测器直接集成，可以简化结构、降低整体体积和重量，提高器件的抗外力敏感性和可靠性。
主权项：1.一种集成MEMS型F-P滤光器，其特征在于，包括：光电探测器，所述光电探测器内部设有光敏区；遮光层，其位于光电探测器的上表面；且遮光层中心部位内嵌有下布拉格层，下布拉格层位于光敏区正上方；支撑块，其位于遮光层的上表面；MEMS驱动电极层，其位于支撑块的上表面；且MEMS驱动电极层中设有上布拉格层；下布拉格层、上布拉格层，以及下布拉格层与上布拉格层间的空气层共同组成法布里-珀罗腔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种集成MEMS型F-P滤光器及其制作方法
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