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申请/专利权人：成都先进金属材料产业技术研究院股份有限公司
申请日：2024-01-08
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118168872A
主分类号：G01N1/28
分类号：G01N1/28
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明公开了辉光放电质谱仪检测样品的制样方法，在钽片上加工凹槽作为铟池，将固体状态的铟置于铟池中并加热熔化，然后将检测样品放置在熔化的铟表面，待铟冷却凝固后进行检测。本发明采用高纯钽片加工出铟池，利用对高纯铟块的加热和再凝固过程来固定放置在其表面的检测样品，形成检测样品的载体，能够快速实现对小尺寸的导体样品和非导体样品的“嫁接”，固定过程中不需要采用其他工具，避免了引入杂质；本发明融合了现有的多种辉光放电质谱仪检测样品制样方法的优点，并摒除了这些制样方法的缺点，检测样品的固定不需要进行压片操作，作为样品载体的高纯铟块的使用量远低于现有制样方法，并且所制成的铟池可重复利用，有效降低了检测成本。
主权项：1.辉光放电质谱仪检测样品的制样方法，其特征在于：在钽片100上加工凹槽作为铟池200，将固体状态的铟300置于铟池200中并加热熔化，然后将检测样品400放置在熔化的铟300表面，待铟300冷却凝固后进行检测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都先进金属材料产业技术研究院股份有限公司 辉光放电质谱仪检测样品的制样方法
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