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申请/专利权人：重庆邮电大学;中国科学院重庆绿色智能技术研究院
摘要：本发明涉及一种基片集成波导移相器，属于射频微波技术领域。该移相器包括介质基板、第一端口、第二端口、上表面金属层和下表面金属层，上表面金属层和下表面金属层分别设置在介质基板的两面；第一端口和第二端口均与上表面金属层连接，下表面金属层设为金属地。上表面金属层包括端口微带线、锥形过渡段、输入分支、输出分支、SIW定向耦合器和移相网络。其中第一端口和第二端口均分别与一段端口微带线和一段锥形过渡段连接；输入分支与定向耦合器的输入端连接，输出分支与定向耦合器的隔离端连接；定向耦合器的直通端和耦合端均分别与一移相网络连接。本发明具有开关元件少、调控电压低的优点，能够降低SIW移相器的制造成本和调控复杂度。
主权项：1.一种基片集成波导移相器，其特征在于：该移相器包括介质基板、第一端口、第二端口、上表面金属层以及下表面金属层；所述上表面金属层和下表面金属层分别设置在所述介质基板的两面；所述第一端口和第二端口均与所述上表面金属层连接，所述下表面金属层为金属地；所述上表面金属层包括端口微带线、锥形过渡段、输入分支、输出分支、SIW定向耦合器和移相网络；所述第一端口依次与所述端口微带线、锥形过渡段、输入分支以及SIW定向耦合器的输入端连接；所述第二端口依次与所述端口微带线、锥形过渡段、输出分支以及SIW定向耦合器的隔离端连接；所述SIW定向耦合器的直通端和耦合端均分别与一所述移相网络连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种基片集成波导移相器
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