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申请/专利权人：西安交通大学
申请日：2024-03-13
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118169433A
主分类号：G01Q40/02
分类号：G01Q40/02;C23C16/40;C23C16/34;C30B33/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明提供一种亚纳米尺度硅111原子台阶高度标准样板及其制备方法和应用，该标准样板包括：凹槽，所述凹槽位于所述标准样板的中间位置，所述凹槽内设有若干级规则排列的环形原子台阶，单级所述环形原子台阶的高度为300～350pm；两个定位标志，对称设于所述凹槽外檐的所述环形原子台阶的外侧，所述定位标志指向所述环形原子台阶的中心，用于快速确定待测台阶的位置。该标准样板能实现台阶总高度的可控性，使得标准样板的高度量值覆盖范围广，并且数值稳定，台阶高度可直接溯源至硅晶格常数，减小引入的测量不确定度，能够应用于校准扫描探针显微镜的Z轴位移测量偏差及Z向漂移，有利于提高扫描探针显微镜的测量准确性。
主权项：1.一种亚纳米尺度硅111原子台阶高度标准样板，其特征在于，包括：凹槽，所述凹槽位于所述标准样板的中间位置，所述凹槽内设有1-30级规则排列的环形原子台阶，单级所述环形原子台阶的高度为300～350pm；两个定位标志，对称设于所述凹槽外檐的所述环形原子台阶的外侧，所述定位标志指向所述环形原子台阶的中心，用于快速确定待测台阶的位置；其中，所述凹槽的深度为100nm～2μm，宽度为500nm～200μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种亚纳米尺度硅(111)原子台阶高度标准样板及其制备方法和应用
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