申请/专利权人：北京交通大学

申请日：2022-11-30

公开（公告）日：2024-06-11

公开（公告）号：CN116285963B

主分类号：C09K11/62

分类号：C09K11/62;C01G15/00;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H10K50/115;H10K71/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.11#授权;2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：本发明提供一种窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法，属于量子点合成技术领域，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑Ga‑Zn‑S纳米晶；清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底；依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液；蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。本发明合成了具有窄谱带蓝光特性的量子点，具有优异的结晶性、分散性及发光特性；构筑量子点发光二极管实现半峰全宽FWHM小于50nm的窄谱电致发光，获得了高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料均无毒无害，反应时间短，便于批量生产。

主权项：1.一种窄谱带发光量子点，其特征在于，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag-Ga-Zn-S纳米晶，即窄谱带发光量子点，其光致发光峰位为450-480nm处，半峰全宽小于50nm，实现了蓝光窄谱带发光特性，包括如下步骤：步骤1，称量Ag源、Ga源、Zn源、配体及溶剂置入三口烧瓶，加热真空除气搅拌溶解一段时间；加热温度为40～100℃；其中，所述配体为正十二硫醇或正十硫醇中的一种或多种的混合，所述溶剂为油胺、十八胺或1-十八烯中的一种或多种的混合；步骤2，称量S源，溶解在溶剂和配体的混合溶液中，加热搅拌一段时间，得到硫前驱体溶液；加热温度为40～100℃；其中，所述溶剂为油胺、十八胺、1-十八烯中的一种或多种的混合，所述配体为正十二硫醇或正十硫醇中的一种或多种的混合；步骤3，通入氮气，在氮气保护下磁力搅拌，注入硫前驱体溶液，保温搅拌一段时间，后升温，保温一段时间；其中，以5～40℃min的速率升温至260～340℃；银、镓、锌、硫前驱体摩尔配比为1:2～20:0.1～2:4～40；步骤4，将反应得到的产物加入反溶剂离心，沉淀依次加入溶剂、反溶剂反复离心，得到窄谱带蓝光量子点，即窄谱带Ag-Ga-Zn-S纳米晶。

全文数据：

权利要求：

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