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申请/专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含半导体基底及设置于半导体基底内的第一阱，第一阱具有第一导电型态。上述半导体装置结构亦包含第一掺杂区，其镶入于第一阱内，具有与第一导电型态不同的第二导电型态。上述半导体装置结构更包含第二阱，其具有第二导电型态。此外，上述半导体装置结构包含第一金属电极及第二金属电极，第一金属电极设置于半导体基底的第一掺杂区上。第二金属电极设置于半导体基底的第二阱上。本发明提供了一种半导体装置结构，在电连接至高压端的区域设置阱取代浓度较大的掺杂区，能提升半导体装置结构作为静电保护装置的能力。
主权项：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：一半导体基底；一第一阱，设置于该半导体基底内，具有一第一导电型态；一栅极结构，设置于该半导体基底的该第一阱上；一第一掺杂区，镶入于该第一阱内，具有与该第一导电型态不同的一第二导电型态；一第二阱，具有该第二导电型态，其中该第二阱与该第一掺杂区位于该栅极结构的相对两侧；多个第一金属电极，设置于该半导体基底的该第一掺杂区上；以及多个第二金属电极，其中一部分的所述多个第二金属电极设置于该半导体基底的该第二阱上，其中该部分的所述多个第二金属电极直接接触该第二阱，且该部分的所述多个第二金属电极与该第二阱之间形成肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 世界先进积体电路股份有限公司 半导体装置结构
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