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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日：2024-03-04
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198866A
主分类号：H01S5/343
分类号：H01S5/343;H01S5/20;H01S5/34
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明属于半导体光电器件技术领域，具体涉及一种具有载流子吸收损耗调控层的氮化镓基半导体芯片。该具有载流子吸收损耗调控层的氮化镓基半导体芯片，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层，有源层、上波导层、上包覆层，所述下包覆层与下波导层之间具有第一载流子吸收损耗调控层，所述上包覆层与上波导层之间具有第二载流子吸收损耗调控层，所述第一载流子吸收损耗调控层和第二载流子吸收损耗调控层构成载流子吸收损耗调控层；该具有载流子吸收损耗调控层的氮化镓基半导体芯片，可形成载流子吸收损耗抑制结构，减少载流子吸收损耗，提升激光器的限制因子和降低内部光学损耗，提升激光器的光功率，提高器件的性能和可靠性。
主权项：1.一种具有载流子吸收损耗调控层的氮化镓基半导体芯片，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层，有源层、上波导层、上包覆层，其特征在于，所述下包覆层与下波导层之间具有第一载流子吸收损耗调控层，所述上包覆层与上波导层之间具有第二载流子吸收损耗调控层，所述第一载流子吸收损耗调控层和第二载流子吸收损耗调控层构成载流子吸收损耗调控层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有载流子吸收损耗调控层的氮化镓基半导体芯片
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