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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日：2024-05-27
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118232160A
主分类号：H01S5/028
分类号：H01S5/028;H01S5/32
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及半导体光电器件，具体公开了一种具有光吸收损耗抑制层的激光器及其制备方法。该具有光吸收损耗抑制层的单晶氮化物半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、上包覆层，所述下包覆层与下波导层之间具有第一光吸收损耗抑制层，所述上包覆层与上波导层之间具有第二光吸收损耗抑制层，所述第一光吸收损耗抑制层和第二光吸收损耗抑制层构成光吸收损耗抑制层；该具有光吸收损耗抑制层的单晶氮化物半导体激光器，可以提升光电转换效率，抑制激光器内部光学损耗，降低阈值电流，提升激光器的光电转换效率，延长激光器的使用寿命。
主权项：1.一种具有光吸收损耗抑制层的激光器，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、上包覆层，其特征在于，所述下包覆层与下波导层之间具有第一光吸收损耗抑制层，所述上包覆层与上波导层之间具有第二光吸收损耗抑制层，所述第一光吸收损耗抑制层和第二光吸收损耗抑制层构成光吸收损耗抑制层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有光吸收损耗抑制层的激光器及其制备方法
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