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申请/专利权人：芯联新(河北雄安)科技有限公司
申请日：2023-11-09
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN117498159B
主分类号：H01S5/50
分类号：H01S5/50;H01S5/10
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开
摘要：本发明公开了一种新型混合集成激光器,包括:硅光芯片,包括两个或者两个以上的环形谐振器和一个sagnac环,环形谐振器组成了光学滤波器,光学滤波器的一端与所述sagnac环相连接；半导体光放大器,位于所述硅光芯片没有设置所述sagnac环的一侧,半导体光放大器的一侧镀有高反射膜,硅光芯片和半导体光放大器未镀膜一侧直接耦合；增益芯片位于半导体光放大器高反射膜一侧,增益芯片和所述半导体光放大器直接耦合；半导体光隔离器,内部集成一个或多个环形谐振器,位于增益芯片远离硅光芯片的一侧,增益芯片与半导体光隔离器直接耦合；输出光纤,位于半导体光隔离器远离硅光芯片的一侧,所述输出光纤与半导体光隔离器直接耦合。
主权项：1.一种新型混合集成激光器，其特征在于，包括：硅光芯片1、半导体光放大器2、增益芯片3、半导体光隔离器4和输出光纤5；所述硅光芯片1包括两个或者两个以上的环形谐振器和一个sagnac环,所述环形谐振器组成了光学滤波器,所述光学滤波器的一端与所述sagnac环相连接；所述半导体光放大器2位于所述硅光芯片1没有设置所述sagnac环的一侧，所述半导体光放大器2的一侧镀有高反射膜，所述硅光芯片1和所述半导体光放大器2未镀膜一侧直接耦合；所述增益芯片3位于所述半导体光放大器2镀有高反射膜一侧，所述增益芯片3和所述半导体光放大器2直接耦合；所述半导体光隔离器4位于所述增益芯片3远离硅光芯片1的一侧，所述半导体光隔离器4内部集成一个或多个环形谐振器，所述增益芯片3与所述半导体光隔离器4直接耦合；所述输出光纤5位于半导体光隔离器4远离硅光芯片1的一侧,所述输出光纤5与半导体光隔离器4直接耦合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联新(河北雄安)科技有限公司 一种新型混合集成激光器
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