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申请/专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
摘要：一种半导体装置，包含半导体通道层和半导体阻挡层设置于基底上，钝化层覆盖半导体阻挡层，第一栅极电极和第二栅极电极侧向分离，且至少部分分别设置于钝化层内，其中沿着第一方向，第一栅极电极的第一栅极长度小于第二栅极电极的第二栅极长度，以及源极电极和漏极电极设置在半导体通道层上，其中第二栅极电极电连接至源极电极，且第一栅极电极和第二栅极电极彼此电性隔离。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体通道层和一半导体阻挡层，设置于一基底上；一钝化层，覆盖所述半导体阻挡层；一第一栅极电极和一第二栅极电极，侧向分离且至少部分的所述第一栅极电极和所述第二栅极电极分别设置于所述钝化层内，其中沿着一第一方向，所述第一栅极电极的一第一栅极长度小于所述第二栅极电极的一第二栅极长度；以及一源极电极和一漏极电极，设置在所述半导体通道层上，其中所述第二栅极电极电连接至所述源极电极，且所述第一栅极电极和所述第二栅极电极彼此电性隔离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 世界先进积体电路股份有限公司 半导体装置
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