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申请/专利权人：深圳市优恩半导体有限公司
摘要：本发明公开一种栅极过压保护的芯片晶体管结构与制造方法，栅极过压保护叠层以上下交叠形成两层或两层以上PN叠层的方式形成在半导体栅极之上或之下，源极金属与栅极过压保护叠层或者栅极过压保护叠层与漏极半导体层形成上下层接触。本发明具有使芯片内栅极过压保护措施微小化与分散化、即使芯片内设有栅极过压保护措施也能使源极金属与栅极金属在同一设置水平下毗邻的效果。
主权项：1.一种栅极过压保护的芯片晶体管结构，其特征在于，包括：漏极半导体层；沟道半导体层与多个半导体栅极，设于所述漏极半导体层上，所述半导体栅极连接至在栅极接触区下的栅极连接条；同层分断的多个第一栅极过压保护叠层，以上下交叠形成两层或两层以上PN叠层的方式形成在对应的所述半导体栅极上；所述PN叠层的方式是P型半导体层和N型半导体层叠置形成PN结后多个PN结交替排列的方式；源极半导体层，形成在所述沟道半导体层上；源极金属，设于所述源极半导体层上，所述源极金属与所述源极半导体层之间形成上下层接触，所述源极金属还与所述第一栅极过压保护叠层之间形成上下层接触；栅极金属，对应于所述栅极接触区而设于所述栅极连接条上。
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权利要求：
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