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申请/专利权人：北京科技大学
摘要：本申请涉及一种GMI磁传感器及GMI磁传感器的制备方法。其中，该GMI磁传感器包括：第一衬底、非晶丝、焊盘以及信号拾取线圈，其中，第一衬底的材质为玻璃或者硅，设置为固定非晶丝；非晶丝，设置为采用以下工艺实现与第一衬底连接：磁控溅射、光刻、电镀；焊盘，设置为包裹在非晶丝的两端；信号拾取线圈，设置为缠绕在固定有非晶丝的第一衬底上。本申请解决了采用传统工艺制造的非晶丝GMI传感器的接触电阻分布范围宽，导致传感器性能一致性较差的技术问题。
主权项：1.一种GMI磁传感器，其特征在于，包括：第一衬底、非晶丝、焊盘以及信号拾取线圈，其中，所述第一衬底的材质为玻璃或者硅，设置为固定所述非晶丝；所述非晶丝，设置为采用以下工艺实现与所述第一衬底连接：磁控溅射、光刻、电镀；所述焊盘，设置为包裹在所述非晶丝的两端；所述信号拾取线圈，设置为缠绕在固定有所述非晶丝的所述第一衬底上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京科技大学 GMI磁传感器及GMI磁传感器的制备方法
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