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申请/专利权人：国际商业机器公司
申请日：2022-09-13
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118202819A
主分类号：H10N50/10
分类号：H10N50/10;H10N50/01
优先权：["20210917 US 17/447,937"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：第二BEOL层，包括围绕过孔的过孔电介质层，以及在过孔上方对准的磁性隧道结MTJ堆叠，过孔包括由衬垫分隔开的上金属柱和下金属柱。第一后段BEOL层，包括围绕BEOL金属层的BEOL电介质层；第二BEOL层，包括围绕过孔的过孔电介质层，过孔包括由衬垫分隔开的上金属柱和下金属柱；在过孔上方对准的磁性隧道结MTJ堆叠。形成作为第二后段BEOL层的过孔电介质层、开口、开口中的下金属柱、下金属柱上和开口的暴露侧表面上的衬垫、所述开口的剩余部分中的上金属柱，以及形成在上方对准的磁性隧道结MTJ堆叠。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第二BEOL层，所述第二BEOL层包括围绕过孔的过孔电介质层，所述过孔包括上金属柱和下金属柱，所述上金属柱和所述下金属柱由衬垫分离；以及在所述过孔上方对准的磁性隧道结MTJ堆叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国际商业机器公司 具有最小杂散场的磁性隧道结器件
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