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申请/专利权人：斯兰纳UV科技有限公司
申请日：2021-11-10
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118202476A
主分类号：H01L33/26
分类号：H01L33/26;H01L33/00;H01L33/50
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：公开多种形式的MgxGe1‑xO2‑x，其中所述MgxGe1‑xO2‑x是在包含基本上单晶的基板材料的基板上形成的外延层。所述MgxGe1‑xO2‑x外延层具有与所述基板材料相容的晶体对称。公开包含所述MgxGe1‑xO2‑x外延层的半导体结构和装置以及制造所述外延层和半导体结构和装置的方法。
主权项：1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：基板，所述基板包含基本上单晶的基板材料；以及所述基板上的MgxGe1-xO2-x外延层，其中x具有0≤x＜1的值；其中所述MgxGe1-xO2-x外延层具有与所述基板材料相容的晶体对称。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 斯兰纳UV科技有限公司 包括镁锗氧化物的超宽带隙半导体装置
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