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申请/专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日：2022-12-14
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197900A
主分类号：H01J49/26
分类号：H01J49/26;H01J49/02;G01N27/622;G01N1/40
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明涉及一种调控离子迁移谱脉冲发生富集离子的方法。其特征在于，通过在离子迁移谱的TP离子门两片栅网上施加同步脉冲，在离子门关闭期间，在电离区形成非均匀电场对产物离子进行空间聚焦，提升离子密度，提升信号强度，同时非均匀场对反应物离子的数密度提升有利于分子离子反应的进行。在开门期间，受到富集效应影响的离子快速通过离子门区域，达到提升灵敏度的目的。两片栅网的协同作用还保持了离子门的关门电压不变，不会发生离子在关门时渗透进入迁移区引起的基线抬升。
主权项：1.一种离子迁移谱中离子富集的方法，所述的离子迁移谱包含离子迁移管，沿离子移动方向从左至右，所述离子迁移管依次包含离子源，电离区，TP离子门，迁移区，法拉第盘离子接收极；其特征在于：所述的TP离子门位于左侧的电离区和右侧的迁移区之间；离子门必须使用使用TP离子门，左侧的是第一门电极，右侧的是第二门电极；按第一预设时段的时间间隔长度、第二预设时段的时间间隔长度依次于第一门电极和第二门电极上施加电压；在第一预设时段的时间间隔长度内，第一门电极上施加第一电压，第二门电极上施加第二电压，在靠近第一门电极左侧构成电离区的电极环上施加第三电压；在整个离子迁移管中此时形成从电离源到法拉第盘离子接收极的直流电场，电离区中的离子通过离子门进入迁移区中，直到抵达离子接收极形成离子信号；在第二预设时段的时间间隔长度内，第一门电极左侧构成电离区的电极环上施加第四电压，第一门电极施加第五电压，第二门电极上施加第六电压；离子迁移管电离区部分形成从离子源方向指向离子门的直流电场，该直流电场从离子源到第一门电极逐渐减弱，离子受到此电场的影响运动到离子门之前；第一门电极与第二门电极之间形成与电离区反向从右至左的电场，离子无法通过这个区域进入迁移区；迁移区中的电场方向由第二门电极指向法拉第盘接收极，已经进入迁移区的离子受直流电场的作用运动到离子接收极被检出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院大连化学物理研究所 一种离子迁移谱中离子富集的方法
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