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申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2024-02-21
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197460A
主分类号：G16C20/30
分类号：G16C20/30;G16C60/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明涉及一种压力诱导FAPbI3材料物性的预测方法，包括：基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，利用VASP软件设置DFT+U和范德华力修正方法的计算参数；构建FAPbI3初始结构，利用DFT+U和范德华力修正方法对FAPbI3初始结构进行优化，得到FAPbI3稳定结构；利用VASP软件模拟对FAPbI3稳定结构施加不同静水压力的情形，在不同静水压力的条件下，利用DFT+U和范德华力修正方法对FAPbI3稳定结构进行优化，得到不同静水压力下对应的FAPbI3最终稳定结构，分析不同静水压力下FAPbI3的结构性质、光电性质和热力学性质。本发明解决了现有技术中材料性能预测不准确、性能预测成本高昂、实验手段到达不到原子尺度的精度等问题，为开发多种钙钛矿超硬材料提供一定的理论参考。
主权项：1.一种压力诱导FAPbI3材料物性的预测方法，其特征在于，包括：步骤1：基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，利用VASP软件设置DFT+U和范德华力修正方法的计算参数；步骤2：构建FAPbI3初始结构，利用DFT+U和范德华力修正方法对所述FAPbI3初始结构进行优化，得到FAPbI3稳定结构；步骤3：利用所述VASP软件模拟对所述FAPbI3稳定结构施加不同静水压力的情形，在不同静水压力的条件下，利用DFT+U和范德华力修正方法对所述FAPbI3稳定结构进行优化，得到不同静水压力下对应的FAPbI3最终稳定结构；步骤4：根据所述FAPbI3稳定结构和所述FAPbI3最终稳定结构对应的晶格参数，分析不同静水压力下FAPbI3的结构性质；步骤5：计算所述FAPbI3稳定结构和所述FAPbI3最终稳定结构对应的能带结构和光学吸收特性，根据所述能带结构和所述光学吸收特性，分析不同静水压力下FAPbI3的光电性质；步骤6：计算所述FAPbI3稳定结构和所述FAPbI3最终稳定结构对应的弹性常数和力学性质参数，根据所述弹性常数和所述力学性质参数，分析不同静水压力下FAPbI3的热力学性质。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种压力诱导FAPbI3材料物性的预测方法
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