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申请/专利权人：大连理工大学
申请日：2024-04-02
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118191043A
主分类号：G01N27/24
分类号：G01N27/24
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：一种光脉冲激发的深能级瞬态谱系统及其测试方法。该系统依托于半导体电学性质随着光生电子‑空穴对注入而变化的原理，开发了一种少数载流子动力学的检测方法，能有效表征半导体材料中的多样缺陷信息。在传统深能级瞬态谱测量技术的基础上，本系统与传统需几秒钟操作时间的光源开关控制相比，本系统采用快速光开关控制技术，将反应时间大幅缩短至40微秒以内，从而能捕捉到更快速的电容瞬态变化。其次，使得系统能实时监测光脉冲的响应，精确挑选所需激发过程，并便于观察载流子在不同阶段的瞬态变化。系统采用自主开发的软件进行控制和快速数据处理，大大提高了实验效率和使用便利性。
主权项：1.一种光脉冲激发的深能级瞬态谱系统的测试方法，其特征在于，步骤如下：步骤一、将待测的半导体样品固定在探针台上，然后密封探针台并将腔室抽成真空状态，接着启动压缩机；启动开始实验；首先监测样品腔内的实际温度，并将其显示在程序面板上；设定实验所需的起始温度，结束温度，以及升温的步长和可接受的误差范围，对样品腔温度先进行温度重置，一旦达到该温度，即开始准备进行MCTS实验；步骤二、通过程序打开激光光源，并设置光开关参数；打开硅探测器，将数据实时传输到计算机中；计算机设置好脉冲周期，即快门开关周期参数，控制光快门开始工作，生成一个方波脉冲信号打到样品上，并将光电探测器所得信号传入阻抗分析仪中替代交流小信号；步骤三、通过程序启动阻抗分析仪，设置好偏置电压，交流小信号，采样频率参数；步骤四、控制Lakeshore336开始按照设定的温度步长逐渐升温，每个温度点停留5分钟进行保温；随后，启动MFIA对样品进行频率扫描，并将所有实验数据和结果记录，将扫描得到的电容瞬态绘制为图像显示在程序界面中；当频率扫描三次结束后，再次控制Lakeshore336升温，然后再次启动MFIA进行频率扫描；如此循环，直到温度达到终止温度；步骤五、当实验做完以后，对计算机上采集的数据进行处理，获得待测的半导体材料是否具有缺陷，以及对应的缺陷信息。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 一种光脉冲激发的深能级瞬态谱系统及其测试方法
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