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申请/专利权人：北京量子信息科学研究院
申请日：2024-05-20
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118201471A
主分类号：H10N69/00
分类号：H10N69/00;H10N39/00;H10N30/03;H10N60/01;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G06N10/40;H03H9/17;H03H3/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本申请提供了一种半导体量子比特的声学腔读取装置及其制备方法。声学腔读取装置包括：凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构固定连接；凸面压电结构包括：第一衬底；第一薄膜层，设置在第一衬底的第一表面；凸面压电薄膜层，呈凸球面形状设置在第一衬底的第二表面；半导体纳米线量子比特结构包括：第二衬底；半导体纳米电极层，设置在第二衬底的表面，半导体纳米电极层包括：半导体纳米线，设置在第二衬底的表面；至少两个电极层，至少两个电极层分别搭接设置在半导体纳米线的两端，至少两个电极层之间裸露有部分半导体纳米线；其中，凸面压电薄膜层设置在裸露的半导体纳米线上方，凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构之间为空腔结构。
主权项：1.一种半导体量子比特的声学腔读取装置，其特征在于，包括凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构，所述凸面压电结构和所述半导体纳米线量子比特结构固定连接；所述凸面压电结构包括：第一衬底；第一薄膜层，设置在所述第一衬底的第一表面；凸面压电薄膜层，呈凸球面形状设置在所述第一衬底的第二表面；所述半导体纳米线量子比特结构包括：第二衬底；半导体纳米电极层，设置在所述第二衬底的表面，所述半导体纳米电极层包括：半导体纳米线，设置在所述第二衬底的表面；至少两个电极层，所述至少两个电极层分别搭接设置在所述半导体纳米线的两端，所述至少两个电极层之间裸露有部分所述半导体纳米线；其中，所述凸面压电薄膜层设置在裸露的半导体纳米线上方，所述凸面压电结构和所述半导体纳米线量子比特结构之间为空腔结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京量子信息科学研究院 一种半导体量子比特的声学腔读取装置及其制备方法
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