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申请/专利权人：南京航空航天大学
申请日：2020-09-16
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN112364591B
主分类号：G06F30/367
分类号：G06F30/367;G01K7/22;G01R19/00;G01R31/26;G06F119/08
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开
摘要：本发明公开一种SiCMOSFET结温实时动态预测方法及电压检测电路，所述的结温在线预测方法包括以下步骤：SiCMOSFET壳温检测、SiCMOSFET实时功率损耗检测、基于勒贝格采样的结温实时动态预测。本发明可以获取未知工作状态下功率器件的实时结温，兼具实时性强和预测精度高的优势。
主权项：1.一种SiCMOSFET结温实时动态预测方法，其特征在于，包括以下步骤：实时检测SiCMOSFET壳温以及流过SiCMOSFET的电流和SiCMOSFET漏源极电压，得到SiCMOSFET的实时功率损耗；利用勒贝格采样判断是否发生事件，当发生事件，事件标记值加1，改变当前勒贝格长度；若没有发生事件，则维持原有勒贝格长度，等待事件发生；当事件标记值达到当前勒贝格长度时，将当前SiCMOSFET壳温和功率损耗离散化为方波信号，输入基于Foster热网络模型的SiCMOSFET热网络模型中进行结温预测；基于勒贝格采样的离散化实时模型为： 其中D是勒贝格长度，描述不同勒贝格状态下的采样间隔；gt为非线性函数，tk为第k次采样瞬间；勒贝格状态定义为事件轴上的系统特征状态{F1，F2，...Ff}，F1...Ff为事先划分的勒贝格状态，当系统特征值发生从一个勒贝格状态到另一个的转换，即发生事件，执行后续算法，否则一直等待事件发生；描述功率器件结温的状态方程由连续时间微分方程描述为： 其中a为RC并联单元的温度差，F为非线性函数，u为SiCMOSFET的功率损耗输入和SiCMOSFET的壳温输入。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京航空航天大学 SiC MOSFET结温实时动态预测方法及电压检测电路
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