申请/专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司

申请日：2022-05-20

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN114808110B

主分类号：C30B13/00

分类号：C30B13/00;C30B13/20;C30B13/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.14#授权;2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开

摘要：本发明公开了检测块状多晶硅杂质的装置及其用途、检测方法。该装置包括区熔炉，区熔炉包括硅棒基底、硅棒底座、第一籽晶旋转固定件、加热线圈和旋转支撑部。硅棒基底上部设有凹槽；硅棒底座设在所述硅棒基底下部并支撑所述硅棒基底；第一籽晶旋转固定件包括第一螺杆和第一籽晶夹头，设在区熔炉上部；加热线圈设在第一籽晶旋转固定件与硅棒基底之间，且加热线圈在水平面上的投影位于硅棒基底在水平面上的投影区域外；旋转支撑部设在所述区熔炉底部并支撑所述硅棒底座。该装置结构简单、操作方便，能够实现块状多晶硅向多晶硅棒的转变，进而通过对多晶硅棒杂质含量进行检测能获得块状多晶硅的杂质含量，具有检测结果准确度高且易于实现的优点。

主权项：1.一种采用检测块状多晶硅杂质的装置检测块状多晶硅杂质的方法，其特征在于，所述装置包括区熔炉，所述区熔炉包括：硅棒基底，所述硅棒基底上部设有凹槽；硅棒底座，所述硅棒底座设在所述硅棒基底下部并支撑所述硅棒基底；第一籽晶旋转固定件，所述第一籽晶旋转固定件设在所述区熔炉上部，所述第一籽晶旋转固定件包括第一螺杆和第一籽晶夹头，所述第一籽晶夹头与所述第一螺杆下部相连；加热线圈，所述加热线圈设在所述第一籽晶旋转固定件与所述硅棒基底之间，且所述加热线圈在水平面上的投影位于所述硅棒基底在水平面上的投影区域外；旋转支撑部，所述旋转支撑部设在所述区熔炉底部并支撑所述硅棒底座，第二籽晶旋转固定件，所述第二籽晶旋转固定件包括第二螺杆和第二籽晶夹头，所述第二籽晶夹头与所述第二螺杆上部相连，所述第二螺杆下部与所述旋转支撑部可拆卸相连，所述硅棒基底的转速为10～18转分，所述第一籽晶旋转固定件的转速为5～10转分，所述方法包括：1将块状多晶硅置于硅棒基底的凹槽中，将加热线圈设在所述硅棒基底上部；在第一籽晶夹头上固定第一籽晶，利用第一籽晶旋转固定件带动所述第一籽晶旋转，并利用旋转支撑部通过硅棒底座带动所述硅棒基底旋转；2利用所述加热线圈对所述块状多晶硅进行加热，以便通过所述第一籽晶区熔拉制得到多晶硅棒；3将加热线圈设在所述多晶硅棒下部；利用第一籽晶旋转固定件带动所述多晶硅棒旋转，并采用第二籽晶旋转固定件替换所述硅棒底座和硅棒基底，在第二籽晶夹头上固定第二籽晶，利用旋转支撑部通过第二螺杆带动所述第二籽晶旋转；4利用所述加热线圈对所述多晶硅棒进行加热，以便通过所述第二籽晶区熔拉制得到单晶硅棒；5以所述单晶硅棒具有第二籽晶的一侧为头部，在所述单晶硅棒上距离所述头部的距离为单晶硅棒长度80％的区域进行切片取样，得到待测片；6利用红外检测仪对所述待测样片进行杂质检测。

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