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申请/专利权人：南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN116156772B
主分类号：H05K3/06
分类号：H05K3/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开
摘要：本发明涉及覆铜板技术领域，具体为一种AMB覆铜陶瓷线路板及其制备方法；较现有负性感光干膜作图案转移材料的多次前处理、压膜、曝光、显影、去膜流程，本发明使用正性光刻干膜作为图案转移材料，仅通过一次前处理、压膜，多次曝光、显影，一次去膜流程即可实现AMB覆铜陶瓷线路板的简易制备。本发明减少了压膜、前处理和去膜等干湿制程次数，实现了流程、人力、能耗精简，极大地提升了AMB覆铜陶瓷线路板的生产效率；同时本发明在焊料蚀刻和表面处理的过程中，正性光刻干膜贴附于铜表面充当抗蚀刻层，避免铜线路遭受焊料蚀刻和表面处理等过程中的药水污染，有效改善铜线路蚀刻的外观良率。
主权项：1.一种AMB覆铜陶瓷线路板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.对AMB覆铜陶瓷板两侧表面的铜层表面热压正性光刻干膜，热压温度为55-65℃，热压压力为0.35-0.45MPa，热压速率为1.4-1.5mmin；其中，按重量份数计，所述正性光刻干膜包括以下组分：2-7份正性光敏剂、9-18份酚醛树脂、3-6份丙烯酸树脂、0.1-0.5份流平剂、0.1-0.2份消泡剂；所述正性光敏剂为重氮萘醌磺酸酯类感光剂；所述丙烯酸树脂为丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯丙烯酸丁酯、丙烯酸正丁酯中的任意一种或多种；所述流平剂为聚二甲基硅氧烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷中的任意一种或多种；所述消泡剂为有机硅消泡剂；S2.对AMB陶瓷板一侧铜层表面热压的正性光刻干膜进行一次曝光显影处理，将电路图形转移至该侧铜层表面；S3.使用氯化铜与盐酸的混合溶液蚀刻铜层至钎焊层；S4.使用酸性蚀刻液蚀刻钎焊层；S5.对印有电路图形一侧的铜层表面的正性光刻干膜进行二次曝光显影处理，将所需表面处理图案转移至该侧铜层表面，并使用显影液去除另一侧铜层表面正性光刻干膜；S6.对二次曝光显影处理后的AMB陶瓷板进行表面处理；S7.利用去膜液去除表面残余正性光刻干膜，即可得AMB覆铜陶瓷线路板。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南通威斯派尔半导体技术有限公司 一种AMB覆铜陶瓷线路板及其制备方法
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