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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
申请日：2023-09-25
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN117295382B
主分类号：H10N10/01
分类号：H10N10/01;H10N10/80;C22C33/04;C22C38/12;B22F9/04;B22F3/105;B22F3/14;B22F9/08;C23C14/30;C23C14/26;C23C14/18;C23C14/58
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2024.01.12#实质审查的生效;2023.12.26#公开
摘要：一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法，涉及方钴矿热电材料元素阻隔层制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有方钴矿与金属电极连接过程中方钴矿与金属电极之间易发生元素扩散以及焊接接头强度衰减的问题。方法：步骤1、称取：按照方钴矿元素阻隔层中钒和铁的原子百分比分别称取纯钒和纯铁；步骤2、制备方钴矿元素阻隔层：将称取的纯钒和纯铁采用电弧熔炼、粉末冶金或物理气相沉积的方式，制备得到高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层，所述的方钴矿元素阻隔层为P型方钴矿元素阻隔层或N型方钴矿元素阻隔层。本发明可获得一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法。
主权项：1.一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法，其特征在于该制备方法按以下步骤进行：步骤1、称取：按照方钴矿元素阻隔层中钒和铁的原子百分比分别称取纯钒和纯铁；步骤2、制备方钴矿元素阻隔层：将步骤1中称取的纯钒和纯铁采用电弧熔炼、粉末冶金或物理气相沉积的方式，制备得到高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层，所述的方钴矿元素阻隔层为P型方钴矿元素阻隔层或N型方钴矿元素阻隔层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法
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