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申请/专利权人：深圳市宏旺微电子有限公司
申请日：2020-08-20
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN112098770B
主分类号：G01R31/01
分类号：G01R31/01
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2020.12.18#公开
摘要：本申请提供了一种针对动态耦合故障模拟极端环境下的测试方法和装置，运用于半导体芯片测试技术领域，测试方法包括，调用数据寄存器，对存储芯片中各个逻辑地址对应的单元写入第一数据值，并对应读取第一数据值，以进行AF测试；按照存储芯片的地址递增顺序或者地址递减顺序，以3*3矩阵为间隔向矩阵中心对应的逻辑地址中写入第二数据值、读取第二数据值、再写入第三数据值，并实时进行动态耦合故障测试；遍历各个地址读取第三数据值，判断从各个地址对应的单元中读取的第三数据值与写入时的第三数据值是否一致，若是，则存储芯片无故障，实现在极端的条件下对存储芯片进行测试，更容易将耦合等故障测试出来，达到严加筛选芯片的目的。
主权项：1.一种针对动态耦合故障模拟极端环境下的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：S1，调用数据寄存器，对存储芯片中各个逻辑地址对应的单元写入第一数据值，并对应读取所述第一数据值，以进行AF测试；S2，按照所述存储芯片的地址递增顺序或者地址递减顺序，以3*3矩阵为间隔向矩阵中心对应的逻辑地址中写入第二数据值、读取所述第二数据值、再写入第三数据值，从而测试矩阵中心及周围8个邻单元的数据值是否发生变动，实时进行动态耦合故障测试；S3，遍历各个地址读取所述第三数据值，判断从各个地址对应的单元中读取的第三数据值与写入时的第三数据值是否一致，若是，则所述存储芯片无故障。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市宏旺微电子有限公司 针对动态耦合故障模拟极端环境下的测试方法和装置
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