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申请/专利权人：国硅集成电路技术(无锡)有限公司
摘要：本实用新型涉及集成电路技术领域，涉及一种高压启动电路，其包括若干电阻、若干二极管、若干MOS管、JFET和两个钳位电路。本电路可应用于DC‑DC等电路中，当电路启动时，VCC电压较低，VDD电压由VIN通过JFET、二极管和PMOS管提供，其中JFET栅极电压受调整电路控制，当VIN较低时可以最大限度提升输出VDD，当VIN较高时会将JFET栅极电压拉到地电位；当电路启动后，即VCC电压高于一定电压后，JFET控制电路会被完全关闭，这样从VIN流入的电流会被减小至近似零，而VDD由VCC通过二极管来提供电压，这样可以显著提升DC‑DC系统的工作效率。该结构具有启动后静态功耗低，系统效率高，同时支持低VIN电压下启动工作。
主权项：1.一种高压启动电路，其特征在于，包括电阻、二极管、NMOS管、PMOS管和钳位电路和结型场效应晶体管；电阻包括R1、R2、R3、R4、R5、R6；二极管包括D1、D2；NMOS管包括N1、N2；PMOS管包括P0、P1、P2；钳位电路包括第一钳位电路和第二钳位电路；结型场效应晶体管包括JFET1；PMOS管P0的源端接VCC，并与电阻R1的一端和二极管D1的阳极连接；栅端与电阻R1的另一端和第二钳位电路的一端连接；漏端与电阻R2的一端和PMOS管P1的栅端连接；JFET1的源端接入输入信号VIN；栅端与电阻R5的一端和NMOS管N2的漏端连接；漏端连接二极管D2的阳极；二极管D1的阴极与PMOS管P2的漏端、电阻R5的另一端和第一钳位电路的一端连接，同时也是本启动电路的输出端VDD；二极管D2的阴极与PMOS管P1的源端、PMOS管P2的源端、衬端和电阻R4的一端连接；PMOS管P1的漏端与NMOS管N1的栅端和电阻R3的一端连接；电阻R4的另一端与PMOS管P2的栅端和NMOS管N1的漏端连接；NMOS管N2的栅端与第一钳位电路的另一端和电阻R6的一端连接；第二钳位电路的另一端、电阻R2的另一端、电阻R3的另一端、NMOS管N1的源端、NMOS管N2的源端和电阻R6的另一端接地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国硅集成电路技术(无锡)有限公司 一种高压启动电路
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