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申请/专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器的阵列平坦化结构及制备工艺，所述第一反射层远离所述衬底的表面至所述衬底的上表面具有第一沟槽，所述衬底还具有第二沟槽，所述第二沟槽为隔离沟槽，所述隔离沟槽用于划分多个发光区域；在非发光区域，所述第二沟槽在所述第一沟槽内；所述第一电极与所述第一欧姆金属层之间设置有第一平坦化层，所述第一平坦化层远离所述衬底的表面至所述衬底上表面的垂直距离小于或等于所述第二反射层远离所述衬底的表面至所述衬底的上表面的垂直距离。本发明提供的技术方案改善了台面结构正平面的钝化层与侧壁的钝化层的厚度差异，从而增强抗水气能力。
主权项：1.一种垂直腔面发射激光器的阵列平坦化结构，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、第一欧姆金属层、第一电极、第一反射层、有源层、氧化层、第二反射层、第二欧姆金属层和第二电极；所述第一反射层远离所述衬底的表面至所述衬底的上表面具有第一沟槽，所述衬底还具有第二沟槽，所述第二沟槽为隔离沟槽，所述隔离沟槽用于划分多个发光区域；在非发光区域，所述第二沟槽在所述第一沟槽内；其中，所述第一电极设置在所述第一欧姆金属层远离所述衬底的一侧,并与所述第一沟槽内的所述第一欧姆金属层电连接；所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧,并与所述第二欧姆金属层电连接；所述第一电极与所述第一欧姆金属层之间设置有第一平坦化层，所述第一平坦化层远离所述衬底的表面至所述衬底上表面的垂直距离小于或等于所述第二反射层远离所述衬底的表面至所述衬底的上表面的垂直距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种垂直腔面发射激光器的阵列平坦化结构及制备工艺
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