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申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司
摘要：本发明公开了一种平坦化处理方法，该平坦化处理方法用于平坦化形成于半导体结构上的层间介电质层ILD，具体包括：提供一基底，基底的表面具有凸起区和平坦区。在基底的表面上形成第一子介电层，在第一子介电层的表面上形成研磨停止层，在研磨停止层的表面上形成第二子介电层，沿第二子介电层的表面进行化学机械研磨至研磨停止层，使研磨界面平坦化，同步刻蚀平坦化的研磨界面，直至将研磨停止层完全刻蚀掉。由此，本发明在对基底平坦化的过程中，能够有效的控制研磨厚度，避免控制研磨时间不能准确控制研磨终点导致研磨后基底形貌不能满足工艺的要求的问题，并减少化学机械研磨后的层间介电层的轮廓对后续器件良率的影响。
主权项：1.一种平坦化处理方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底，所述基底的表面具有凸起区和平坦区；在所述基底的表面上形成第一子介电层；在所述第一子介电层的表面上形成研磨停止层；在所述研磨停止层的表面上形成第二子介电层；沿所述第二子介电层的表面进行化学机械研磨至所述研磨停止层，并使研磨界面平坦化；同步刻蚀平坦化的研磨界面，直至将所述研磨停止层完全刻蚀掉。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 一种平坦化处理方法
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