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申请/专利权人：香港大学
申请日：2023-12-12
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118211616A
主分类号：G06N3/049
分类号：G06N3/049;G06N3/065
优先权：["20221215 US 63/432,788"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：一种全模拟脉冲神经网络电路包含：至少一个ReRAM交叉突触阵列，其并行地进行乘法累加运算；及脉冲响应模型SRM神经元电路，其运用互补型金属氧化物半导体CMOS技术来构建。所述神经元电路从所述ReRAM交叉突触阵列接收输出并直接处理来自所述ReRAM交叉突触阵列的输出电流以完成所述乘法累加运算且产生经过处理的电压脉冲序列。
主权项：1.一种全模拟脉冲神经网络SNN电路，其特征在于，其包括：至少一个ReRAM交叉突触阵列，其并行地进行乘法累加运算；及脉冲响应模型SRM神经元电路，其运用互补型金属氧化物半导体CMOS技术来构建，所述SRM神经元电路从所述ReRAM交叉突触阵列接收输出且直接处理来自所述ReRAM交叉突触阵列的输出电流以产生输出电压脉冲序列。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 香港大学 与基于模拟存储器的突触阵列一起工作的紧凑型CMOS脉冲神经元电路
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