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申请/专利权人：深圳北航新兴产业技术研究院
申请日：2024-03-18
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118209160A
主分类号：G01D21/02
分类号：G01D21/02;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本申请公开了一种CMOS‑MEMS流量温度传感器，属于微电子加工领域，解决了现有技术中目前存在CMOS‑MEMS集成化的流量压力传感器存在信号衰减、信号传输质量不佳、芯片集成化的问题。本申请的技术方案中，MEMS流量传感器单元位于CMOS芯片单元的上方；在MEMS流量传感器单元衬底上加工电连接通孔TSVTGV以实现MEMS流量传感器单元与CMOS芯片单元的CMOS控制电路的电连接。本申请的技术方案，通过CMOS逻辑电路与MEMS传感器的工艺集成，可以实现两者之间的优势互补，优化信噪比、减小器件尺寸、降低成本。
主权项：1.一种CMOS-MEMS流量温度传感器，包括MEMS流量传感器单元1和CMOS芯片单元2；其特征在于：所述MEMS流量传感器单元1位于CMOS芯片单元2的上方；所述MEMS流量传感器单元1包括衬底101，衬底101上部具有感温测流元件；所述衬底101的内部构建有若干隔热空腔104；衬底101上构建有若干电连接通孔105；CMOS芯片单元2具有衬底二201，衬底二201上具有片上CMOS控制电路202；所述MEMS流量传感器单元1的感温测流元件通过电连接通孔105与CMOS控制电路202电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳北航新兴产业技术研究院 CMOS-MEMS流量温度传感器
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