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申请/专利权人：原子能与替代能源委员会
申请日：2023-12-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231426A
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146;G02B5/30
优先权：["20221220 FR 22/13923"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请涉及一种偏振图像传感器400，被形成在半导体衬底内部和顶部上，该传感器包括：多个像素P，每个像素包括被形成在半导体衬底中的光电检测器；偏振路由器，其包括被布置在光电检测器的照明表面的侧面上的二维元表面MS，该元表面包括衬底的二维阵列；以及多个第一微透镜401，其在传感器的配对的相邻像素前面延伸。
主权项：1.一种偏振图像传感器400；600；800；900，被形成在半导体衬底101的内部和顶部上，所述传感器包括：-多个像素P，每个像素包括被形成在所述半导体衬底中的光电检测器107；-偏振路由器，其包括被布置在所述光电检测器的照明表面的侧面上的二维元表面MS，所述元表面包括衬垫117的二维阵列；以及-多个第一微透镜401，其在所述传感器的配对的相邻像素P1、P2前面延伸，其中每个微透镜的横向尺寸等于由配对的相邻像素形成的矩形的横向尺寸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 原子能与替代能源委员会 偏振图像传感器
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