申请/专利权人:浙江华飞电子基材有限公司
申请日:2024-03-20
公开(公告)日:2024-06-18
公开(公告)号:CN118206128A
主分类号:C01B33/18
分类号:C01B33/18
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.18#公开
摘要:本发明涉及一种亚微米级球形二氧化硅的制备工艺。它包括有气体混合、气体燃烧、原料预处理、二氧化硅的制备和颗粒收集步骤,本文创造性的结合气相燃烧法,以硅和氧化硅、氮化硅为原料,制备亚微米级球形二氧化硅,其具有小粒径、大比表面积、高纯度、高质量等优点。
主权项:1.一种亚微米级球形二氧化硅的制备工艺,其特征在于,包括气体混合、气体燃烧、原料预处理、二氧化硅的制备和颗粒收集步骤。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 浙江华飞电子基材有限公司 一种亚微米级球形二氧化硅的制备工艺
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