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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-04-29
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118207510A
主分类号：C23C14/35
分类号：C23C14/35;C23C14/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种TaN成膜工艺方法，包括：步骤一、将晶圆放置到直流磁控溅射腔中。步骤二、设置溅射工艺参数，包括：设置工艺压强和直流能量。通过降低工艺压强和直流能量来降低在后续沉积过程中Ta原子和溅射气体离子产生二次碰撞的数量，从而降低在晶圆表面积累的电荷数量并从而改善天线效应。设置的工艺压强和所述直流能量保证使天线效应形成的漏电放电降低到第一要求值以下。步骤三、按照设定的溅射工艺参数进行溅射以在晶圆表面沉积形成TaN膜。本发明能减少晶圆表面的电荷积累并从而改善天线效应，同时不会对金属线的电阻以及电路面积带来不利影响。
主权项：1.一种TaN成膜工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、将晶圆放置到直流磁控溅射腔中；步骤二、设置溅射工艺参数，包括：设置工艺压强和直流能量；通过降低所述工艺压强和所述直流能量来降低在后续沉积过程中Ta原子和溅射气体离子产生二次碰撞的数量，从而降低在所述晶圆表面积累的电荷数量并从而改善天线效应；所述工艺压强越小，所述天线效应形成的漏电放电越低；所述直流能量越小，所述天线效应形成的漏电放电越低；设置的所述工艺压强和所述直流能量保证使所述天线效应形成的漏电放电降低到第一要求值以下；步骤三、按照设定的所述溅射工艺参数进行溅射以在所述晶圆表面沉积形成TaN膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 TaN成膜工艺方法
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