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申请/专利权人：昆山卓知微科技有限公司
摘要：本发明属于纳米材料制备与应用技术领域，尤其涉及一种大高宽比硅纳米锥阵列的制造和湿法锐化方法，通过干法刻蚀阶段中，用等离子体深硅刻蚀刻出5微米高的硅柱，在硅柱的基础上，创新性地融合了连续模式刻蚀与氧气等离子体刻蚀的刻蚀模式，周期性的对样品进行进一步刻蚀，连续模式刻蚀对硅基底进行刻蚀，氧气等离子体刻蚀对蚀刻导致胶掩膜的直径和高度逐步缩减，从而完成纳米硅锥的刻蚀，然后再通过两种不同的湿法过程对刻蚀出的硅锥阵列进行初步锐化，最终应用刻蚀和多种锐化方法，实现锥阵列制造中的高效性和形貌可控性之间的平衡。
主权项：1.一种大高宽比硅纳米锥阵列的制造和湿法锐化方法，其特征在于，包括有以下步骤：S1，选用洁净硅衬底（1）作为起始样品；S2，在洁净硅衬底（1）上旋涂一层紫外光抗蚀剂；S3，将旋涂有紫外光抗蚀剂的硅衬底置于热板上以110℃烘烤1-2分钟，利用无掩膜光刻机进行激光直写形成设计图案样品，并进行紫外曝光，然后在室温下对紫外光抗蚀剂进行显影，显影时间为1-5分钟；S4，将抗蚀剂上的图案利用Bosch工艺转移到硅基底形成硅柱（4），提高结构的高宽比；S5，利用缩小抗蚀剂掩模直径的方式，即用融合连续模式刻蚀与氧气等离子体刻蚀的刻蚀模式，周期性的对样品进行进一步刻蚀形成硅锥（5）样式；S6，使用35%KOH溶液（6）或者69%硝酸与49%氢氟酸混合的水溶液（7）构成的锐化溶液，在对应的常温超声下锐化5-20分钟或在常温条件下静置锐化3分钟，对S5中的硅锥（5）进行锐化；S7，对锐化后的硅锥（5）阵列进行高温热氧氧化，后用49%氢氟酸去掉氧化硅，对硅锥（5）阵列进行进一步锐化。
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权利要求：
百度查询： 昆山卓知微科技有限公司 一种大高宽比硅纳米锥阵列的制造和湿法锐化方法
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