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申请/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日：2024-04-12
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118215192A
主分类号：H05H1/48
分类号：H05H1/48;H05K7/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种高纯净高稳定性级联弧等离子体源，包括级联片、阴极座、设置于阴极座的阴极进气仓，以及设置于级联片的等离子体通道；所述级联片内部设置有用于冷却等离子体通道的水冷通道，且所述等离子体通道设置有惰性环，所述阴极进气仓设置有进气孔。本发明通过设计新的等离子体源的装置结构，能有效解决现有级联弧等离子体源的部件易被烧蚀且等离子体不纯净的问题。
主权项：1.一种高纯净高稳定性级联弧等离子体源，其特征在于，包括级联片、阴极座、设置于阴极座的阴极进气仓，以及设置于级联片的等离子体通道；所述级联片内部设置有用于冷却等离子体通道的水冷通道，且所述等离子体通道设置有惰性环，所述阴极进气仓设置有进气孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院合肥物质科学研究院 一种高纯净高稳定性级联弧等离子体源
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