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申请/专利权人：新美光(苏州)半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及一种拉晶设备及拉晶方法。包括：熔炼炉，用于通过加热拉晶原料，产生熔液；熔炼炉具有容置拉晶原料和熔液的第一容置腔；生长炉，用于将熔液进行拉晶生成晶体；生长炉具有容置熔液和晶体的第二容置腔；导流管，用于连通第一容置腔和第二容置腔；控制部件，在生长炉内的熔液量小于或等于第一预设值的情况下，控制熔炼炉内的熔液通过导流管转移至生长炉。本发明的技术方案，减少了拉晶中晶体的氧含量。
主权项：1.一种拉晶设备，其特征在于，包括：熔炼炉，用于通过加热拉晶原料，产生熔液；所述熔炼炉具有容置所述拉晶原料和所述熔液的第一容置腔；生长炉，用于将所述熔液进行拉晶生成晶体；所述生长炉具有容置所述熔液和所述晶体的第二容置腔；导流管，用于连通所述第一容置腔和所述第二容置腔；控制部件，在所述生长炉内的熔液量小于或等于第一预设值的情况下，控制所述熔炼炉内的熔液通过所述导流管转移至所述生长炉；所述熔炼炉包括：第一坩埚，内腔形成所述第一容置腔；第一加热器，所述第一加热器为高频线圈，设置于所述第一坩埚的外周；所述高频线圈围住的区域为加热区域；夹持装置，从拉晶原料的上端夹持住所述拉晶原料，能通过夹持装置的移动调整所述拉晶原料的加热量；所述拉晶原料的上端为远离第一容置腔的一端；所述生长炉还包括：第二坩埚，内腔形成所述第二容置腔；第二加热器，设置于所述第二坩埚的侧壁外，包括能够分别控制加热功率的第一子加热器和第二子加热器，所述第一子加热器在第二坩埚的轴向上位于所述第二子加热器的上方；所述第二坩埚包括：隔板，位于所述第二容置腔内，将所述第二容置腔在上下方向进行分隔，拉晶区域位于所述隔板的上方；所述隔板的中心开设有第二通孔，使得所述隔板下方的熔液通过所述第二通孔流入所述隔板上方的区域，进而进入所述拉晶区域；所述熔液的熔液量在第一预设值时，所述熔液的液面距离所述隔板的深度占所述熔液总深度的比例为40%-60%；所述拉晶区域为晶体生长的区域。
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权利要求：
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