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申请/专利权人：张江国家实验室
申请日：2022-12-08
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213266A
主分类号：H01L21/027
分类号：H01L21/027;G03F7/20;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明涉及一种用于半导体工艺的图案化方法，其将效率高、成本低、操作简单且能够实现线条密度倍增的“自上而下”的光刻技术与“自下而上”的基于嵌段共聚物的导向自组装技术DSA有机融合，实现了图案密度的进一步增加以及图案尺寸的进一步微缩。
主权项：1.一种用于半导体工艺的图案化方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1在基底材料上利用负性光刻胶形成负胶层，并利用正性光刻胶在所述负胶层上形成正胶层；2对所述负胶层和所述正胶层进行图形化，从而在所述正胶层和所述负胶层上分别形成正图形区和负图形区，其中，所述正图形区大于所述负图形区；3用正胶显影液对所述正胶层进行显影，以去除所述正图形区中的正性光刻胶；4用负胶显影液对所述负胶层进行显影，以去除位于所述负图形区附近的负性光刻胶，进而提供与所述正图形区、所述负图形区的尺寸相关的暴露区，以暴露所述基底材料；5通过刻蚀技术在所述基底材料的所述暴露区上形成凹槽，然后去除剩余的负胶层和正胶层，以形成图形引导模板；6在所述图形引导模板上涂覆亲和聚合物层；7在所述亲和聚合物层上涂覆与所述亲和聚合物层相对应的嵌段共聚物；以及8利用退火工艺来驱动所述嵌段共聚物进行微相分离，从而使所述嵌段共聚物在所述图形引导模板上进行导向自组装以形成有序结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 张江国家实验室 用于半导体工艺的图案化方法及图案化系统
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