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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
摘要：本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于单晶半导体层上方；单晶外延源极半导体层，该单晶外延源极半导体层位于该单晶半导体层与该交替堆叠之间并且与该单晶半导体层外延对准；和存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构竖直延伸穿过该交替堆叠并且包括存储器膜和外延竖直半导体沟道，该外延竖直半导体沟道包括在界面处与该外延源极半导体层外延对准的单晶半导体材料。
主权项：1.一种三维存储器器件，包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠位于单晶半导体层上方；单晶外延源极半导体层，所述单晶外延源极半导体层位于所述单晶半导体层与所述交替堆叠之间并且与所述单晶半导体层外延对准；和存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构竖直延伸穿过所述交替堆叠并且包括存储器膜和外延竖直半导体沟道，所述外延竖直半导体沟道包括在第一界面处与所述外延源极半导体层外延对准的单晶半导体材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 使用外延半导体沟道和掩埋源极线的三维存储器器件及其制造方法
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