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申请/专利权人：高澈科技(上海)有限公司

摘要：本发明实施例涉及电路技术领域，公开了一种源极跟随器和缓冲器电路，通过在推挽式的源极跟随器中，对输出级上的两个NMOS晶体管MN1、MN2和两个PMOS晶体管MP1、MP2的体端电压进行调节，即：各晶体管的体端电压通过一电阻直接连接到相应正、负电源上，并通过一电容将源极跟随器的输入端信号耦合至晶体管的体端输入，使得晶体管的阈值电压进一步提高，从而在不增加功耗的前提下，能够进一步增强输入晶体管的跨导，降低晶体管的非线性。

主权项：1.一种源极跟随器，其特征在于，包括：NMOS晶体管MN1、MN2、MN3，PMOS晶体管MP1、MP2、MP3，电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8；NMOS晶体管MN2的漏极接电源VCC、源极接MN1的漏极，PMOS晶体管MP2的漏极接地VEE、源极接MP1的漏极，MN1的源极和MP1的源极短接，且短接的公共端为所述源极跟随器的输出端Vout；PMOS晶体管MP3的源极接电源VCC、漏极接MN1的栅极、栅极接偏置电压Vfp，NMOS晶体管MN3的源极接地VEE、漏极接MP1的栅极、栅极接偏置电压Vfn；电阻R1和R2串联形成的支路与电容C1和C2串联形成的支路并联在MN1的栅极和MP1的栅极两端，且电阻R1和R2连接的公共端与电容C1和C2连接的公共端为同一端，且该同一端为所述源极跟随器的输入端Vin；NMOS晶体管MN2的体端分别连接电容C5的一端和电阻R5的一端，且电容C5的另一端接输入端Vin，电阻R5的另一端接地VEE；MN2的栅极分别连接电容C3的一端和电阻R3的一端，且电容C3的另一端接输入端Vin，电阻R3的另一端接电源VCC；MN1的体端分别连接电容C6的一端和电阻R6的一端，且电容C6的另一端接输入端Vin，电阻R6的另一端接电源VDD；PMOS晶体管MP1的体端分别连接电阻R7的一端和电容C7的一端，且电阻R7的另一端接电源VSS、电容C7的另一端接输入端Vin；MP2的体端分别连接电阻R8的一端和电容C8的一端，且电阻R8的另一端接电源VCC，电容C8的另一端接输入端Vin；MP2的栅极分别连接电容C4的一端和电阻R4的一端，且电容C4的另一端接输入端Vin，电阻R4的另一端接地VEE。

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