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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
摘要：一种实现背引出的工艺方法，包括对所述硅片背面研磨减薄，以使所述硅片背面距离器件层一预定距离D；在硅片背面曝光将需要进行背引出的P型区域，进行P型掺杂以形成P型掺杂区，以及在硅片背面曝光将需要进行背引出的N型区域打开，进行N型掺杂以形成N型掺杂区；在硅片背面沉积生长隔离层和激光反射层；通过光刻和刻蚀工艺刻蚀隔离层和激光反射层的指定区域，暴露P型掺杂区和N型掺杂区；采用激光退火工艺对硅片背面实现全晶圆均匀退火。因此，本发明实现了减少硅片背面对激光退火热预算吸收情况下，激活注入元素，为实现背引出工艺提供经济、可行方案。
主权项：1.一种实现背引出的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：提供一硅片，对所述硅片背面研磨减薄，以使所述硅片背面距离器件层一预定距离D；其中，所述硅片包括阱注入层、器件层、后道介质层和后道金属互连层，所述阱注入层包括P型区域和N型区域；步骤S2：通过光刻、刻蚀工艺，在所述硅片背面将需要进行背引出的P型区域打开，进行P型掺杂以形成P型掺杂区，剩余的所述P型区域为P阱区域；以及在所述硅片背面将需要进行背引出的N型区域打开，进行N型掺杂以形成N型掺杂区，剩余的所述N型区域为N阱区域；步骤S3：在所述硅片背面沉积生长隔离层和激光反射层；步骤S4：通过光刻、刻蚀工艺刻蚀所述隔离层和所述激光反射层的指定区域，暴露P型掺杂区和N型掺杂区；步骤S5：采用激光退火工艺对所述硅片背面实现全晶圆均匀退火；步骤S6：通过湿法工艺去除所述隔离层和激光反射层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 一种实现背引出的工艺方法
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