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申请/专利权人：佛山中研磁电科技股份有限公司
申请日：2021-11-30
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN114147212B
主分类号：B22F1/08
分类号：B22F1/08;B22F1/065;B22F9/08;C22C45/02;C22C38/34;C22C38/32;C22C38/04;C22C38/22;C22C38/54;C22C38/20;H01F1/153;H01F1/33;H01F41/02
优先权：["20201130 CN 2020113779391"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2024.05.31#著录事项变更;2022.11.11#实质审查的生效;2022.03.08#公开
摘要：本发明提供的一种非晶纳米晶雾化粉末，其粉末颗粒均呈类球型状，其成分包括有Fe100‑a‑b‑c‑x‑y‑zSiaBbCcMnxCryXZ,式中X为P、Cu、Mo、Ni中的任意一种，其中8≤a≤15，6≤b≤12，0.2≤c≤3.0，0.1≤x≤3.5，0.5≤y≤2.5，0≤Z≤4.0；本发明的非晶纳米晶雾化粉末通过合金成分的设计优化，以使其制备的非晶纳米晶产品具有低损耗、高饱和磁感应强度及高直流偏置的特点。
主权项：1.非晶纳米晶雾化粉末，其特征在于，其粉末颗粒均呈类球型状，其成分包括有Fe74.8Si11B9C1.5Cr2.5Mn0.2P1，以其制备所得的非晶带材性能体现为BsT呈1.45，磁导率@100K,0.3V呈13800；或Fe74.8Si11B9C0.5Cr1.5Mn0.2P2，以其制备所得的非晶带材性能体现为BsT呈1.42，磁导率@100K,0.3V呈13400；或Fe73.8Si11B9C1.5Cr1.5Mn0.2P2，以其制备所得的非晶带材性能体现为BsT呈1.36，磁导率@100K,0.3V呈16500；或Fe79Si11B7C0.5Cr0.3Mn0.2P2，以其制备所得的非晶带材性能体现为BsT呈1.54，磁导率@100K,0.3V呈9500。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 佛山中研磁电科技股份有限公司 非晶纳米晶雾化粉末及其制备方法
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