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申请/专利权人：广东华芯智源科技有限公司
申请日：2023-10-21
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN221174864U
主分类号：G01R31/26
分类号：G01R31/26;G01R1/30
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权
摘要：本实用新型公开了一种芯片二极管短路检测电路，包含比较器C1、比较器C2和比较器C3，所述的比较器C1、比较器C2和比较器C3的正侧电源引脚均与电源VBAT相耦接，所述的比较器C1、比较器C2和比较器C3的负侧电源引脚均与晶体管Q相耦接，所述的比较器C1、比较器C2和比较器C3的负极输入引脚均通过电阻R，并与所述的电源VBAT相耦接。利用外置的发光二极管LED1～发光二极管LED5，使用者可以快速判读出现短路的发光二极管，并通过相应的比较器进行限流，从而有效防止电路持续拉大电流，避免电量计过热而发生损坏。
主权项：1.一种芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的芯片二极管短路检测电路包含比较器C1、比较器C2和比较器C3，所述的比较器C1、比较器C2和比较器C3的正侧电源引脚均与电源VBAT相耦接，所述的比较器C1、比较器C2和比较器C3的负侧电源引脚均与晶体管Q相耦接，所述的比较器C1、比较器C2和比较器C3的负极输入引脚均通过电阻R，并与所述的电源VBAT相耦接，所述的比较器C1、比较器C2和比较器C3的输出端分别与晶体管HVQ1的栅极、晶体管HVQ2的栅极和晶体管HVQ3的栅极相耦接，所述的晶体管HVQ1的漏极、晶体管HVQ2的漏极和晶体管HVQ3的漏极分布与晶体管HVNQ1的漏极、晶体管HVNQ2的漏极、晶体管HVNQ3的漏极相耦接，所述的晶体管HVNQ1的源极、晶体管HVNQ2的源极和晶体管HVNQ3的源极均通过恒流源AO1后接地，所述的晶体管HVNQ1的漏极、晶体管HVNQ2的漏极、晶体管HVNQ3的漏极分别与引脚LEDA、引脚LEDB和引脚LEDC相耦接，所述的引脚LEDA与引脚LEDC之间设有正向接入的发光二极管LED1、发光二极管LED3以及逆向接入的发光二极管LED2、发光二极管LED4，所述的引脚LEDB与发光二极管LED1、发光二极管LED3的公共极相耦接，所述的引脚LEDA与引脚LEDC之间设有逆向接入的发光二极管LED5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东华芯智源科技有限公司 一种芯片二极管短路检测电路
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