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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日：2023-11-22
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN221176218U
主分类号：H01L23/495
分类号：H01L23/495;H01L23/28;H01L23/367
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权
摘要：本申请公开了一种三相全桥功率模块，涉及半导体器件领域。本实用新型包括：框架、芯片、功率连接部、信号连接部和塑封体，框架和芯片通过焊接料连接、框架通过功率连接部和信号连接部实现各部分连接，塑封体进行包封。本实用新型体积小、散热能力强、可靠性高。
主权项：1.三相全桥功率模块，包括塑封体，其特征在于，所述塑封体内设有框架以及设置于塑封体两侧边缘的若干引脚；所述框架包括设于一侧的VS相基岛以及设于另一侧的U相基岛、V相基岛和W相基岛，所述U相基岛和V相基岛之间以及所述V相基岛和W相基岛之间分别设有GND引脚，所述VS相基岛上设有三颗芯片，所述U相基岛、V相基岛和W相基岛上分别设有一颗芯片；所述芯片包括半导体层，所述半导体层的顶部设有源极金属层和栅极金属层，底部设有漏极金属层；所述VS相基岛上三颗芯片的源极金属层分别一一对应连接U相基岛、V相基岛和W相基岛；所述U相基岛和V相基岛上芯片的源极金属层分别连接位于U相基岛和V相基岛之间的GND引脚，所述V相基岛和W相基岛上芯片的源极金属层分别连接位于V相基岛和W相基岛之间的GND引脚，所述VS相基岛上三颗芯片的源极金属层和栅极金属层还分别一一对应连接塑封体一侧的若干引脚；所述U相基岛、V相基岛和W相基岛上芯片的源极金属层和栅极金属层还分别一一对应连接塑封体另一侧的若干引脚。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州扬杰电子科技股份有限公司 三相全桥功率模块
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