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申请/专利权人：上海威固信息技术股份有限公司
申请日：2024-04-08
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118227056A
主分类号：G06F3/06
分类号：G06F3/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种考虑三维闪存块层间误码率差异的数据写入方法，包括：获取高原始误码率参考值与组合条件之间的第一映射关系以及低原始误码率参考值与组合条件之间的第二映射关系，组合条件包括目标类型闪存块的存储层的磨损程度、数据保存时长和数据读取次数；对于采用目标类型闪存块的三维闪存芯片，确定其每个存储层对应的高原始误码率参考值和低原始误码率参考值，以判定每个存储层的原始误码率的高低；响应于针对三维闪存芯片的任一闪存块的数据写入指令，优先将数据正常写入低误码率存储层，若低误码率存储层均被写满，则将数据降维写入高误码率存储层。根据本发明能够解决现有三维闪存块的数据写入方式导致三维闪存块的整体原始误码率较高，数据保存的可靠性较差的问题。
主权项：1.一种考虑三维闪存块层间误码率差异的数据写入方法，其特征在于，包括：获取高原始误码率参考值与组合条件之间的第一映射关系以及低原始误码率参考值与组合条件之间的第二映射关系，所述组合条件包括目标类型闪存块的存储层的磨损程度、数据保存时长和数据读取次数，所述目标类型闪存块的闪存单元为三层单元或者四层单元；对于采用所述目标类型闪存块的三维闪存芯片，根据其每个闪存块的每个存储层的当前组合条件，基于所述第一映射关系和所述第二映射关系确定每个存储层对应的高原始误码率参考值和低原始误码率参考值，以判定每个存储层的原始误码率的高低；响应于针对所述三维闪存芯片的任一闪存块的数据写入指令，优先将待写入的数据以与所述闪存单元的层数相匹配的写入模式写入低误码率存储层，若低误码率存储层均被写满，则采用降维写入模式将待写入的数据写入高误码率存储层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海威固信息技术股份有限公司 一种考虑三维闪存块层间误码率差异的数据写入方法
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